3NM הטכנולוגיה Unveiled! Samsung מניות את הפרטים האחרונים 3GAE תהליך

בכנס האחרון IEEE בינלאומי מעגלים מעגלים, סמסונג שיתף כמה פרטים של 3nm שלה gae mbcfet בייצור שבב.

על פי הדו"ח האחרון שפורסם על ידי Digitimes, תהליך 3nm של TSMC יתחיל ייצור המשפט במחצית השנייה של השנה. בשנים האחרונות, התחרות בין סמסונג ל TSMC בתהליכי טכנולוגיה מתקדמים הפך להיות עז יותר ויותר. למרות סמסונג כבר מפגר מאחורי TSMC, זה כל הזמן תופס.

הוא דיווח כי במונחים של תהליך 3NM, TSMC עדיין מתעקש להשתמש בטכנולוגיה Finfet, אבל סמסונג בחרה לעבור טרנחים nanochip.

לדברי שיר taejoong, סגן נשיא של סמסונג אלקטרוניקה בפגישה, טרנזיסטור ננו- Chip מובנית יהיה עיצוב מוצלח כי טכנולוגיה זו יכולה לספק "מהירות גבוהה, צריכת חשמל נמוכה שטח קטן".

למעשה, כבר בתחילת שנת 2019, הודיעה סמסונג לראשונה על תהליך 3NM והבהיר כי היא תנטוש את Finfet. סמסונג מחלק את תהליך 3NM לתוך 3GAE ו 3GAP. בפגישה, סמסונג אמר כי הצומת תהליך 3GAE ישיג עד 30% שיפור ביצועים, בעוד צריכת החשמל ניתן לצמצם על ידי 50%, ו צפיפות טרנזיסטור יכול להיות גם גדל ב 80%.

בגלל זה מפגר מאחורי TSMC ב 7nm ו 5nm תהליך צמתים, סמסונג יש תקוות גבוהות עבור תהליך 3NM ותקווה להשתמש טרנזיסטורים nanochip לעקוף TSMC.

הוא דיווח כי תהליך 3GAE של סמסונג צפוי להיות הושק רשמית בשנת 2022, ואת הפרטים הרבים המוצגים בפגישה גם מצביעים כי Samsung לקח צעד נוסף בתהליך 3NM.

אם לשפוט לפי העיתוי של ההשקה של תהליך 3GAE של סמסונג, סמסונג ו- TSMC יהיו ללא ספק תחרות אינטנסיבית יותר עבור תהליכים מתקדמים 3NM בשנת 2022.